在当今飞速发展的科技时代，节能与高效的电子技术正成为行业追求的核心目标。近期，上海海栎创科技股份有限公司成功获得一项名为“节省面积与更低功耗的SRAM结构及其自定时控制方法”的专利，授权公告号CN118380026B。这项专利不仅为存储器领域带来了新 ...

在晶体管中导通压降最低的就属场效应管了，就是我们平常叫的MOS管，那如何运用MOS管这一优良特性设计防反接电路？如下图所示： NMOS防反接电路 当输入上正下负时，下图黄色线条所示电流路径，经过R1、R2，MOS寄生二极管到地,R1与R2分压后其GS极电压大于MOS导 ...

常见的简单电源切换电路如图1所示，但这个电路应用条件是有限制和缺陷的，比如电池电压VBAT不能大于外部电压VIN，常见的电池电压为3.7~4.2V，外部电压为USB的5V时没有问题，但是电池电压为7.2V就不能使用了； (关注公众号：硬件笔记本） ...

目前电子风扇市场大多使用小型无刷直流电机驱动解决方案，为此，进芯电子推出了功率400W-12V/600W-24V电子风扇解决方案。该方案采用PWM/LINK通讯方式进行调速和故障反馈，使用单电阻弦波方案，具有顺逆风启动、电路简单、控制稳定、成本低等优 ...

syUednc 在给定漏极应力偏置电压下，栅极应力偏置 （VGstress）的选择应使热载流子衰退最大化。对于NMOS器件，这通常发生在使衬底或体电流（I SUB ）最大化的栅极偏置 (V GATE) 处。图2代表了典型的 4200-SCS I SUB vs. V GATE 数据。在这种情况下，最优的VGstress是1.821V。

1.通过机械结构的设计 让接线端子 正确接入时能匹配上，不正确时 匹配不上 二极管有 0.7的导通压降 如果有大电流经过的时候就会发热 功率比较高。（一般选用 肖特基二极管导通压降比较低 也要考虑反向电压） 2.保险丝和二极管（稳压二极管）防反接 二极 ...

最后附上小米100W氮化镓快充充电器的核心器件清单，方便大家查阅。uLkednc 小米100W氮化镓快充充电器延续米系快充简约设计风格，支持100-240V全球宽电压输入以及通过了国家CCC安规认证。配备的数据线长1.8米，满足用户笔记本各种场景下的充电需求。充电器支持 ...

随着PCIe5.0接口固态硬盘的推出，固态硬盘的传输速率不断提升，目前已经有固态硬盘达到12000MB/s的读取速度。而达成这一速度的前提，不光要有PCIe5.0接口的固态硬盘，还需要有具备PCIe5.0接口的主板。 存储吧采购到了一款技嘉B650E ...

充电头网近期拿到了罗马仕一款大容量充电宝，外观为长条状设计，顶部配备数显屏实时显示剩余电量。其配备2C2A的USB口，双C口均支持双向PD 65W快充，双A口支持25W输出，并支持 FCP、SCP、AFC、QC3.0/5等充电协议。

The camera supports SMPTE ST 2110 IP transmission; Sony also launched two 16.5-inch 4K TRIMASTER HX monitors for live ...

NEW SOUTH WALES, Australia, and RASTATT, Germany —Audinate and Lawo announced they have signed a Memorandum of Understanding ...