作为第三代半导体材料的典型代表，在过去多年的发展历程中，氮化镓似乎一直都被碳化硅稳压一头。而这次，氮化镓率先实现12英寸晶圆量产的消息传来，备受行业瞩目。英飞凌是全球首家在现有大规模生产环境中掌握氮化镓半导体晶圆技术的供应商。据该公司称，这些晶圆上可 ...

而这次，氮化镓率先实现12英寸晶圆量产的消息传来，备受行业瞩目。 近日，英飞凌宣布已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。 作为全球首家在现有可扩展的大批量生产环境中掌握这一突破性技术的公司，英飞凌这一突破将极大地推动 ...

近日，日本半导体材料大厂信越化学宣布，已经制造出一种用于 GaN（氮化镓）外延生长的 300 毫米（12 英寸）衬底，并于最近开始供应样品。 据介绍，信越化学的 QST 300mm 晶圆具有与 GaN 相同的热膨胀系数 （CTE），避免了 GaN ...

英飞凌日前表示，它已经开发出世界上首款12英寸氮化镓(GaN)晶圆技术，该技术为世界首创，希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。 该公司表示，使用更大尺寸的GaN晶圆生产芯片将更加高效，12英寸可以容纳的GaN芯片 ...

在一条集成试验线上制造出了12英寸GaN 晶圆，标志着英飞凌在氮化镓技术领域取得了突破性进展。 英飞凌表示，12英寸晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效益更高，与8英寸晶圆相比，单片晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。 英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一 ...

IT之家 9 月 11 日消息，英飞凌今日宣布成功开发出全球首个 300mm（12 英寸）功率 GaN（氮化镓）晶圆技术，并率先在现有的可扩展大批量制造环境中掌握这一突破性技术。 与 200 mm 晶圆相比，300mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进 ...

当地时间9月11日，英飞凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功开发出全球首款300毫米功率氮化镓（GaN）晶圆技术。英飞凌是世界上第一家在现有且可扩展的大批量制造环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于 GaN ...

【9 月 12 日，欧洲芯片制造商英飞凌披露，已开发出全球首款 12 英寸氮化镓(GaN)晶圆技术。 】 英飞凌此举旨在满足高能耗人工智能数据中心和电动 ...