【9 月 12 日，欧洲芯片制造商英飞凌披露，已开发出全球首款 12 英寸氮化镓(GaN)晶圆技术。 】 英飞凌此举旨在满足高能耗人工智能数据中心和电动 ...

近日，日本半导体材料大厂信越化学宣布，已经制造出一种用于 GaN（氮化镓）外延生长的 300 毫米（12 英寸）衬底，并于最近开始供应样品。 据介绍，信越化学的 QST 300mm 晶圆具有与 GaN 相同的热膨胀系数 （CTE），避免了 GaN ...

观点网讯：9月12日消息，英飞凌宣布开发出全球首款12英寸氮化镓(GaN)功率晶圆技术，希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率 ...

英飞凌日前表示，它已经开发出世界上首款12英寸氮化镓(GaN)晶圆技术，该技术为世界首创，希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。 该公司表示，使用更大尺寸的GaN晶圆生产芯片将更加高效，12英寸可以容纳的GaN芯片 ...

9月12日消息，欧洲芯片制造商英飞凌表示，它已经开发出世界上首款12英寸氮化镓(GaN)晶圆技术，希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。 (科创板日报) ...

该公司表示，首批予客户的试用样板将会在明年第四季推出，并指使用更大的氮化镓晶圆进行芯片生产将更有效率。 观点网讯：9月12日消息，英飞凌宣布开发出全球首款12英寸氮化镓(GaN)功率晶圆技术，希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率 ...

公司已成功研发出全球首款300毫米（约12英寸）功率氮化镓（GaN）晶圆技术。 与现有的200毫米晶圆相比，300毫米晶圆技术意味着在单个晶圆上可以 ...

9月12日，欧洲芯片制造商英飞凌高调宣布推出全球首款12英寸氮化镓（GaN）功率晶圆技术。这一技术的问世是半导体行业的一次重大突破，旨在满足当前高速发展的人工智能（AI）数据中心和电动汽车（EV）领域对高效能功率半导体的日益增长的需求。 氮化镓是一 ...