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快科技
18 天
英飞凌推出全球首款12英寸GaN晶圆!效率更高、成本更低
公司已成功研发出全球首款300毫米(约12英寸)功率氮化镓(GaN)晶圆技术。 与现有的200毫米晶圆相比,300毫米晶圆技术意味着在单个晶圆上可以 ...
电子工程专辑
18 天
英飞凌推出全球首款12英寸GaN功率晶圆技术!
英飞凌日前表示,它已经开发出世界上首款12英寸氮化镓(GaN)晶圆技术,该技术为世界首创,希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。 该公司表示,使用更大尺寸的GaN晶圆生产芯片将更加高效,12英寸可以容纳的GaN芯片 ...
电子工程专辑
18 天
英飞凌推出12吋GaN,或将扩大产能
在一条集成试验线上制造出了12英寸GaN 晶圆,标志着英飞凌在氮化镓技术领域取得了突破性进展。 英飞凌表示,12英寸晶圆上的芯片生产在技术上更先进,效益更高,与8英寸晶圆相比,单片晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。 英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示:“这一 ...
观点网
18 天
英飞凌:已成功研发出全球首款12英寸氮化镓(GaN)晶圆技术
该公司表示,首批予客户的试用样板将会在明年第四季推出,并指使用更大的氮化镓晶圆进行芯片生产将更有效率。 观点网讯:9月12日消息,英飞凌宣布开发出全球首款12英寸氮化镓(GaN)功率晶圆技术,希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率 ...
新浪网
20 天
信越化学 12 英寸氮化镓外延生长 QST 衬底出样,有助于降低 GaN 产品成本
IT之家 9 月 10 日消息,日本信越化学当地时间本月 3 日宣布成功开发出用于氮化镓 GaN 外延生长的 300mm(IT之家注:一般也称 12 英寸)的 QST 衬底 ...
来自MSN
19 天
英飞凌:开发 12 英寸 GaN 晶圆技术 9 月 12 日
【9 月 12 日,欧洲芯片制造商英飞凌披露,已开发出全球首款 12 英寸氮化镓(GaN)晶圆技术。 】 英飞凌此举旨在满足高能耗人工智能数据中心和电动 ...
来自MSN
18 天
英飞凌:已成功研发出全球首款12英寸氮化镓(GaN)晶圆技术
观点网讯:9月12日消息,英飞凌宣布开发出全球首款12英寸氮化镓(GaN)功率晶圆技术,希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率 ...
China Internet Information Center
1 个月
Heavenly Stems and Earthly Branches
Heavenly stems and earthly branches (or Tian Gan Di Zhi, commonly abbreviated to ... 丁、戊、己、庚、辛、壬、癸;地支有十二个,依次为: 子、丑、寅、卯、辰 ...
人民网
14 年
中国共产党第十九次全国代表大会
中国共产党第八届扩大的第十二次中央委员会全会于一九六八年十月十三日在北京开幕,于十月三十一日胜利闭幕。 中国共产党中央委员会主席毛泽东同志主持了这个有伟大历史意义的会议,并就一九六六年八月党的八届十一中全会以来无产阶级文化大革命运动 ...
新浪网
29 天
海报 | 山西年内各项工作如何开展?省委十二届八次全体会议作出安排
山西日报客户端综合报道 中国共产党山西省第十二届委员会第八次全体会议,于2024年8月30日至31日在太原举行。 全会由省委常委会主持。全会听取 ...
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