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凤凰网
27 天
4年自主研发!中国实现芯片制造关键技术首次突破
原标题:我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术:历时 4 年自主研发,打破平面型芯片性能“天花板” IT之家 9 月 3 日消息,“南京发布 ...
IT之家
27 天
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术:历时 4 年自主研发 ...
IT之家9 月 3 日消息,“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文,报道称国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时 4 年自主研发,成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术,打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”,实现我国在该领域的首次突破。
EDN电子技术设计
28 天
SiC MOSFET栅极应力测试,一文带你了解
了解SiC MOSFET等半导体器件的失效模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键。 了解半导体器件的失效模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键,这些测试可以确保器件在数据表规定的范围内运行,并满足汽车和其他电源转换应用中日益严格的十亿分之一的 ...
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