三、更优的防反接方案 除了上述两种外，还有一种用理想二极管实现的防反接方案，其功耗很低，且可以驱动外置NMOS，价格比PMOS要低且能容纳更大的电流，将会在下篇介绍。 公众号推送机制更改，设为星标、点击在看和点赞下次更新才能及时 ...

在当今飞速发展的科技时代，节能与高效的电子技术正成为行业追求的核心目标。近期，上海海栎创科技股份有限公司成功获得一项名为“节省面积与更低功耗的SRAM结构及其自定时控制方法”的专利，授权公告号CN118380026B。这项专利不仅为存储器领域带来了新 ...

常见的简单电源切换电路如图1所示，但这个电路应用条件是有限制和缺陷的，比如电池电压VBAT不能大于外部电压VIN，常见的电池电压为3.7~4.2V，外部电压为USB的5V时没有问题，但是电池电压为7.2V就不能使用了； (关注公众号：硬件笔记本） ...

在晶体管中导通压降最低的就属场效应管了，就是我们平常叫的MOS管，那如何运用MOS管这一优良特性设计防反接电路？如下图所示： NMOS防反接电路 当输入上正下负时，下图黄色线条所示电流路径，经过R1、R2，MOS寄生二极管到地,R1与R2分压后其GS极电压大于MOS导 ...

本实验的目标是研究增强模式NMOS晶体管用作电流镜的工作原理。 背景 理论上，N型N型金属氧化物半导体(NMOS)电流镜的工作原理与我们在2020年8月份学生专区文章中分析的双极性结型晶体管(BJT)电流镜相同。两个具有相同栅源电压(V GS)的相同晶体管将有相同的漏极 ...

目前电子风扇市场大多使用小型无刷直流电机驱动解决方案，为此，进芯电子推出了功率400W-12V/600W-24V电子风扇解决方案。该方案采用PWM/LINK通讯方式进行调速和故障反馈，使用单电阻弦波方案，具有顺逆风启动、电路简单、控制稳定、成本低等优 ...

GANednc VBUS开关管来自万国半导体，型号AONR36366，NMOS，耐压30V，导阻2.8mΩ，采用DFN3*3EP封装。GANednc 迪比科这款90W充电器采用银色塑料外壳，配有国标折叠插脚，小巧便携，易于携带。充电器支持100-240V全球宽电压输入，输出端配有两个USB-C接口。其中任一接口均 ...

syUednc 在给定漏极应力偏置电压下，栅极应力偏置 （VGstress）的选择应使热载流子衰退最大化。对于NMOS器件，这通常发生在使衬底或体电流（I SUB ）最大化的栅极偏置 (V GATE) 处。图2代表了典型的 4200-SCS I SUB vs. V GATE 数据。在这种情况下，最优的VGstress是1.821V。

专利摘要显示，本发明提供一种嵌入式闪存器件的制作方法，包括：在衬底上形成高压NMOS器件的第一栅极和高压PMOS器件的第二栅极；在无掩膜的条件下向衬底进行高压PMOS的浅掺杂漏注入，注入同时在高压NMOS器件的第一栅极两侧的衬底和高压PMOS器件的第二栅极 ...